ALD原子层沉积

沉积精度 <1 nm,台阶覆盖率 >95% 逐层沉积,厚度精准可控 低温工艺,适用于敏感基材 半导体、锂电池、光伏等芯片级防护的理想选择

产品概述

原子层沉积(ALD)基于自限制表面反应,可在复杂结构上实现埃米级精度的均匀薄膜沉积。

核心优势

  • 沉积精度 <1 nm,台阶覆盖率 >95%
  • 逐层沉积,厚度精准可控
  • 低温工艺,适用于敏感基材
  • 半导体、锂电池、光伏等芯片级防护的理想选择

应用领域范围

ALD装备—半导体领域

•High-k介质层:HfO2,ZrO₂,Al2O3等
•金属单质:Ni,Ir,Co,Ru等
•铁电存储:HfZrO₂等
•栅极金属/扩散阻挡层:TiN,TaN等
•硅通孔绝缘/阻挡层:SiO₂,Al₂O₃等

ALD装备—显示领域(Micro OLED)

•钝化层:Al2O3,HfO2,AlN等
•金属电极:ZnO,TiN,TaN,Ru等

ALD装备—能源领域

钙钛矿太阳能电池
•钝化层:AlOx,SiOx等
•功能层:SnO2,NiO等

固态电池
•钝化层:Al2O3,ZrO2等
•功能层:TiO2等

派拉纶ALD设备定制

派拉纶|平板ALD产品

派拉纶A-100是专门针对科学研究和企业研发而推出的ALD平台。设备的每个细节都充分考虑了多功能,模块化和易用性。对派拉纶来说,让用户能够自由地开发工艺和各种应用而不是被设备所限制是非常重要的。A-100代表了最先进的设计理念和原子层薄膜沉积解决方案,它可以实现在各种不同尺寸和不同基底材料上制备半导体级别的高质量薄膜。

派拉纶|PEALD产品

PAL-D系列机台,属于上海派拉纶新材料股份有限公司时间型ALD沉积设备。PAL-D系列主要面向高校,科研院所以及企业研发团队,让使用者可以自由开发各种工艺和材料,目前在氧化物(如Al2O3、HfO2、ZrO2、HZO等)和氮化物(TiN、AlN等)薄膜的实际沉积过程中,取得了较好的数据,适用于各类半导体器件功能层、绝缘层、钝化层以及其他领域薄膜沉积需求。

派拉纶|克级粉体ALD产品

PAL-P系列机台,是上海派拉纶新材料股份有限公司专门针对粉末样品开发的ALD镀膜设备。P系列主要面向高校,科研院所以及企业研发团队,适用于各种催化剂表面改性,电池电极涂层,医疗粉末制剂等。一般沉积材料以氧化物(如Al2O3、TiO2等)和氮化物(TiN等)薄膜为主。

派拉纶|千克级粉体ALD产品

PAL-P系列机台,是上海派拉纶新材料股份有限公司专门针对工业级粉体镀膜市场推出的ALD设备。主要面向小规模工业应用,高校,科研院所等客户,适用于各种催化剂表面改性,电池电极涂层,医疗粉末制剂等。一般沉积材料以氧化物(如Al2O3、TiO2等)和氮化物(TiN等)薄膜为主。

典型客户

金属氮化物研究

某研究院

PAL-A100-Fur型原子层沉积机台主要用做金属氮化物薄膜的沉积,应用领域包含超导、压电、阻变存储(RRAM)等。

高k电介质研究

某985高校

PAL-A100-HK型原子层沉积镀膜机主要用做新型铁电逻辑和存储器件方面的研究,我司积极协同配合,助力科研取得创新性成果。

铁电存储研究

某985高校

PAL-A100-Res型原子层沉积机台主要用做FeFET铁电晶体管的可靠性研究,制备的HZO薄膜在电学测试上表现出优异的电学性能。

EUV光刻胶研究

某芯片研发企业

PAL-A100-PR型原子层沉积机台主要用做EUV/先进光刻胶研究,用ALD/分子层沉积(MLD)替代传统旋涂法,直接气相沉积无机或无机-有机杂化光刻胶薄膜。

低温量子器件研究

某985高校

PAL-A100-LT型原子层沉积系统主要用做新型低温量子输运器件方面的研究,制备的低温氧化铝薄膜在器件耐压测试上表现优秀。

行业应用

符合FDA/ISO双认证,守护医疗器械的"生命防线"!

派瑞林(Parylene)凭借其卓越的生物相容性、超薄无针孔涂层和优异的化学稳定性,已成为高端医疗器械防护的关键材料,广泛应用于植入式设备、导管、传感器等对安全性要求极高的场景。

核心优势

生物相容性|极致防护|超薄且保形|电绝缘性强|耐温范围广

典型场景

植入式电子设备、血管介入器械、导管与插管类、医用弹性体

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